Tăng quỹ 15 tháng 9 2024 – 1 tháng 10 2024 Về việc thu tiền

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых...

  • Main
  • Технология, конструкции и методы...

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Часть 2

Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Под общей ред. чл.-корр. РАН проф. Чаплыгина Ю.А.
Bạn thích cuốn sách này tới mức nào?
Chất lượng của file scan thế nào?
Xin download sách để đánh giá chất lượng sách
Chất lượng của file tải xuống thế nào?
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микро-электроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.;Гриф:Рекомендов ано Учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 210104 (200100) «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Năm:
2015
In lần thứ:
3
Nhà xuát bản:
Издательство "Лаборатория знаний" (ранее "БИНОМ. Лаборатория знаний")
Ngôn ngữ:
russian
Trang:
425
ISBN 10:
5996325683
ISBN 13:
9785996325689
Loạt:
Электроника
File:
PDF, 16.88 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
russian, 2015
Đọc online
Hoàn thành chuyển đổi thành trong
Chuyển đổi thành không thành công

Từ khóa thường sử dụng nhất